顯微鏡測(cè)量晶粒間界面積較小即較大晶粒的材料 根據(jù)載流子俘獲模型,這些結(jié)果是可以理解的。在低摻雜濃度下,高電阻率是由于晶粒間界俘獲了大部分載流子所引起的.隨著摻雜濃度增加,多數(shù)的俘獲態(tài)將被填滿.于是,晶粒間界俘獲載流子的能力將接近飽和。當(dāng)注入的劑量進(jìn)一步增加時(shí),晶粒間界勢(shì)壘將降低,正如所觀察到的那樣,引起電阻率急驟地減小。摻雜濃度進(jìn)一步墩加,將導(dǎo)致電阻率進(jìn)一步降低,接近單晶硅的電阻率。因?yàn)榫Яig界俘獲軟流子的數(shù)目限定了電導(dǎo)率,所以對(duì)于晶粒間界面積較小即較大晶粒的材料,電阻率和臨界摻雜濃度應(yīng)較低。 我們以前的工作,研究了LPCVD硅薄膜結(jié)構(gòu),指出在580℃下生長(zhǎng)的LPCVD薄膜開始是非晶態(tài)的,非常不穩(wěn)定,甚至在中等沮度下退火也要迅速結(jié)晶。 退火樣晶的透射電子顯微照片顯示,開始呈非晶態(tài)的再結(jié)晶薄膜,同在620℃下生長(zhǎng)的開始呈多晶態(tài)作同樣退火的薄膜相比,有較大的晶粒.基于這個(gè)事實(shí)和上述模型,不同類型薄膠電性能的差異,可以直接地同每類薄膜的晶粒大小聯(lián)系起來(lái).
|