以金相顯微鏡觀察單晶LED元件的靜電實驗
單晶LED元件的靜電實驗結(jié)果分析
同樣的傳統(tǒng)低功率子彈型LED(Lamp LED)，食人魚型LED(Piranha LED)，
經(jīng)過靜電放電測試后的LED單晶已被破壞，直接影響原有的靜電耐受度而大幅衰減
及較難偵測出來的包含晶粒、封裝體、金線、支架等的內(nèi)部構(gòu)造，
所以根據(jù)靜電放電帶給LED Chip 所形成的瑕疵分析利用金相顯微鏡深入觀測探究，
先對還未執(zhí)行實驗的靜電放電測試的子彈型LED(Lamp LED)輸入電流20mA 點亮量測IV curve
，進行環(huán)氧樹脂(Epoxy)打磨后正面分析
LED 溶解環(huán)氧樹脂(Epoxy)后結(jié)構(gòu)無異狀，LED 溶解環(huán)氧樹脂(Epoxy)后可正常點亮，
另對經(jīng)過靜電放電實驗后進行檢測溶解環(huán)氧樹脂(Epoxy)前LED外觀未發(fā)現(xiàn)有不良現(xiàn)象，
打磨后觀察正常，環(huán)氧樹脂(Epoxy)溶解后正面觀察均為良好，
側(cè)面觀察良好，晶片放大觀察，發(fā)現(xiàn)有擊傷現(xiàn)象，將晶片局部放大觀察，然而對食人魚型LED 靜電放
電實驗進行量測有漏電之IV 特性曲線，
將失效晶片以金相顯微鏡觀察靜電放電(ESD)破壞而產(chǎn)生得焦黑現(xiàn)象，
針對逆向電流偏高使用雷射光束電阻異常檢驗儀(OBIRCH)分析漏電路徑發(fā)現(xiàn)綠色光點為漏電位置針對綠色光點
為漏電位置使用掃描式電子顯微鏡(SEM)儀器確認(rèn)電極處有靜電造成破壞
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華東華南地區(qū)
