LED封裝外觀檢測(cè)顯微鏡-封裝技術(shù)常識(shí)
封裝技術(shù)
覆晶(Flip Chip)接合封裝技術(shù)中，一個(gè)焊錫凸塊往往包含不同的金屬化墊層
(Under Bump Metallization, UBM)結(jié)構(gòu)。
而焊錫接點(diǎn)與金屬墊層的反應(yīng)則直接會(huì)影響到接到的機(jī)械性質(zhì)以及電性。
同時(shí)隨著無(wú)鉛焊錫的采用，與焊錫反應(yīng)較為和緩的Ni金屬墊層也逐漸成為關(guān)注的焦點(diǎn)。
電鍍Ni與無(wú)電鍍Ni與焊錫接點(diǎn)的回焊以及時(shí)效之反應(yīng)．由于電鍍Ni為結(jié)晶結(jié)構(gòu)，
而無(wú)電鍍Ni雖為非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)，卻會(huì)在反應(yīng)之過(guò)程中形成一層柱狀之Ni3P，
而相對(duì)的加快了反應(yīng)之速度。而由其兩種金屬墊層與錫鉛以及無(wú)鉛焊錫之反應(yīng)，
可以明確得到電鍍Ni確實(shí)大大的減緩了介面反應(yīng)的速率，
相對(duì)降低界金屬化合物Spalling的可能性。同時(shí)，隨著可攜式電子產(chǎn)品微小化的
趨勢(shì)，覆晶封裝焊錫接點(diǎn)也須隨之縮小，
因此焊錫接點(diǎn)所承載的電流密度逐漸提高，在高電流密度的影響下，
覆晶封裝焊錫接點(diǎn)因電遷移產(chǎn)生可靠度的議題受到重視。
此外，導(dǎo)線所產(chǎn)生的焦耳熱效應(yīng)嚴(yán)重影響焊錫接點(diǎn)內(nèi)部的溫度分布，
因?yàn)闇囟炔町a(chǎn)生的溫度梯度產(chǎn)生熱遷移的破壞，熱遷移的破壞也越來(lái)越受到注目
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華東華南地區(qū)
