晶圓制造化學機械研磨簡介!晶圓檢查顯微鏡出售
"化學機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)"是進行多層導線架構時最重要的步驟。
由于線寬小、面積小、CMOS數(shù)目多是未來矽晶片發(fā)展的趨勢,為了要滿足這些條件就必須使用多層導線架構,
而多層導線架構中每一層都必須非常平坦,必須使用"化學機械研磨(CMP)"來將各層金屬表面"磨平",
因此化學機械研磨(CMP)成為各晶圓廠是否可以成功地躍進到0.13?m(微米)甚至90nm(奈米)以下制程的重要關鍵。
|